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GWA30N120KD Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
GWA30N120KD Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce GWA30N120KD
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Taille du fichier   423.46 Kbytes
Page   15 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description 30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

GWA30N120KD Datasheet (PDF)

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GWA30N120KD Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce GWA30N120KD
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description 30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

GWA30N120KD Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


GWA30N120KD Détails du produit

Features
■ Low on-losses
■ High current capability
■ Low gate charge
■ Short circuit withstand time 10 μs
■ IGBT co-packaged with Ultrafast free-wheeling
diode

Applications
■ Motor control

Description
This high voltage and short-circuit rugged IGBT
utilizes the advanced PowerMESH™ process
resulting in an excellent trade-off between
switching performance and low ON-state
behavior.




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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