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STB25NF06AG Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STB25NF06AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STB25NF06AG
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Taille du fichier   817.74 Kbytes
Page   15 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Automotive-grade N-channel 60 V, 0.056 Ω typ., 19 A STripFET™ II Power MOSFET in a D²PAK package

STB25NF06AG Datasheet (PDF)

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STB25NF06AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STB25NF06AG
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Automotive-grade N-channel 60 V, 0.056 Ω typ., 19 A STripFET™ II Power MOSFET in a D²PAK package

STB25NF06AG Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STB25NF06AG Détails du produit

Features
 Designed for automotive applications and
AEC-Q101 qualified
 100% avalanche tested
 Application-oriented characterization

Applications
 Switching applications

Description
This Power MOSFET series realized with
STMicroelectronics unique STripFET™ process
is specifically designed to minimize input
capacitance and gate charge. It is therefore ideal
as a primary switch in advanced high-efficiency
isolated DC-DC converters for Telecom and
Computer applications. It is also suitable for any
application with low gate charge drive
requirements.




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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