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STL225N6F7AG Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STL225N6F7AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STL225N6F7AG
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Taille du fichier   942.15 Kbytes
Page   15 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Automotive-grade N-channel 60 V, 1.2 m typ., 120 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package

STL225N6F7AG Datasheet (PDF)

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STL225N6F7AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STL225N6F7AG
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Automotive-grade N-channel 60 V, 1.2 m typ., 120 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package

STL225N6F7AG Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STL225N6F7AG Détails du produit

Features
 AEC-Q101 qualified
 Among the lowest RDS(on) on the market
 Excellent FoM (figure of merit)
 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
 High avalanche ruggedness
 Wettable flank package

Description
This N-channel Power MOSFET utilizes
STripFET™ F7 technology with an enhanced
trench gate structure that results in very low onstate
resistance, while also reducing internal
capacitance and gate charge for faster and more
efficient switching.

Applications
 DC-DC converter for H.E.V.
(hybrid electric vehicle)




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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