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STTH802SFY Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STTH802SFY Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STTH802SFY
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Taille du fichier   497.95 Kbytes
Page   13 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Automotive 200 V ultrafast recovery diode

STTH802SFY Datasheet (PDF)

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STTH802SFY Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STTH802SFY
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Taille du fichier   497.95 Kbytes
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Automotive 200 V ultrafast recovery diode

STTH802SFY Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STTH802SFY Détails du produit

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low conduction losses
• Negligible switching losses
• 175 °C maximum junction temperature
• VRRM guaranteed from -40 °C to 175 °C
• Wettable flanks for automatic visual inspection
• PPAP capable
• ECOPACK® 2 compliant component

Description
The STTH802SFY ultrafast recovery diode has been designed for automotive
applications.
Packaged in PSMC (TO-277A), this device provides a high level of performance in a
compact and flat package which can withstand high operating junction temperature.

Application
• DC/DC converters
• Reverse polarity protection
• Snubber
• Boost function
• Freewheeling diode




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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