STPSC10H065G2 Fiches technique(PDF) - STMicroelectronics

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STPSC10H065G2 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics

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Fabricant	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

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650 V, 10 A high surge silicon carbide power Schottky diode

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Description	650 V, 10 A high surge silicon carbide power Schottky diode

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STPSC10H065G2 Détails du produit

Features
• No or negligible reverse recovery
• Switching behavior independent of temperature
• High forward surge capability
• Operating Tj from -40 °C to 175 °C
• Power efficient product
• D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min.
• ECOPACK2 compliant component

Description
This 10 A, 650 V SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is
manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows
the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky
construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The
minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
Housed in D²PAK HV, this diode is perfectly suited for a usage in PFC applications, in
charging station, DC/DC, easing the compliance to IEC-60664-1.
The STPSC10H065G2 will boost performances in hard switching conditions. Its high
forward surge capability ensures good robustness during transient phases.

Applications
• Telecom power supply
• Server power supply
• Switch mode power supply
• DCDC converters
• LLC topologies

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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

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