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RF5L08600CB4 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
RF5L08600CB4 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce RF5L08600CB4
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Taille du fichier   2031.93 Kbytes
Page   12 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF5L08600CB4 Datasheet (PDF)

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RF5L08600CB4 Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce RF5L08600CB4
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF5L08600CB4 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


RF5L08600CB4 Détails du produit

Features
• High efficiency and linear gain operations
• Integrated ESD protection
• Internally matched pair transistors in push-pull configuration
• Large positive and negative gate-source voltage range for improved class C
operation
• Excellent thermal stability, low HCI drift
• In compliance with the european directive 2002/95/EC

Description
The RF5L08600CB4 is a 650 W, 50 V, high performance, internally matched LDMOS
FET, designed for multiple applications in the frequency range from 0.4 to 1 GHz.

Applications
• Wideband lab amplifier from 0.4 to 1 GHz
• Digital UHF TV 470-860 MHz
• 650 MHz particle accelerator
• 915 MHz RF energy applications




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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