HSU285 Fiches technique(PDF) - Renesas Technology Corp

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HSU285 Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

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Silicon Schottky Barrier Diode for High frequency detection

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Description	Silicon Schottky Barrier Diode for High frequency detection

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HSU285 Détails du produit

Features
• Low forward voltage, Low capacitance and High detection sensitivity.
• Ultra small Resin Package (URP) is suitable for surface mount design.

Numéro de pièce similaire - HSU285

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Total Power Internation...	HSU200	225Kb / 2P	AUTO-RANGING AC INPUT AC-DC MULTIPLE OUTPUT 200 WATTS 19 COMPATIBLE DOUBLE EUROCARD SWITCHING POWER SUPPLIES HSU200 SERIES
HITRON ELECTRONICS CORP...	HSU200	273Kb / 2P	AUTO-RANGING AC INPUT AC-DC 19" COMPATIBLE DOUBLE EUROCARD MULTI-OUTPUT 200 WATTS SWITCHING MODE POWER SUPPLIES
	HSU200-32	273Kb / 2P	AUTO-RANGING AC INPUT AC-DC 19" COMPATIBLE DOUBLE EUROCARD MULTI-OUTPUT 200 WATTS SWITCHING MODE POWER SUPPLIES
	HSU200-33	273Kb / 2P	AUTO-RANGING AC INPUT AC-DC 19" COMPATIBLE DOUBLE EUROCARD MULTI-OUTPUT 200 WATTS SWITCHING MODE POWER SUPPLIES
Total Power Internation...	HSU200-40	225Kb / 2P	AUTO-RANGING AC INPUT AC-DC MULTIPLE OUTPUT 200 WATTS 19 COMPATIBLE DOUBLE EUROCARD SWITCHING POWER SUPPLIES HSU200 SERIES

Description similaire - HSU285

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Hitachi Semiconductor	HSB0104YP	27Kb / 5P	Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching
KEC(Korea Electronics)	KDR701S	384Kb / 2P	SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(FOR HIGH FREQUENCY RECTIFICATION)
Renesas Technology Corp	HSU226	44Kb / 5P	Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching
	HSB285S	48Kb / 5P	SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE FOR HIGH FREQUENCY DETECTION
	HSC285	46Kb / 5P	SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE FOR HIGH FREQUENCY DETECTION
Toshiba Semiconductor	JDH3D01FV	180Kb / 5P	Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type For wave detection
Toshiba Semiconductor	JDH3D01S	168Kb / 4P	Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type For wave detection
Hitachi Semiconductor	HRW26	20Kb / 2P	Silicon Schottky Barrier Diode for High Frequency Rectifying
Renesas Technology Corp	RKD702KL	66Kb / 5P	Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching
Leshan Radio Company	LRB551V-30T1G	62Kb / 3P	Schottky barrier diode High-frequency rectification

À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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