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IPS1025HF Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
IPS1025HF Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce IPS1025HF
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Taille du fichier   2450.39 Kbytes
Page   32 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description High efficiency, high-side switch with extended diagnostics, smart driving for capacitive loads and short propagation delay at power-on

IPS1025HF Datasheet (PDF)

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IPS1025HF Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce IPS1025HF
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description High efficiency, high-side switch with extended diagnostics, smart driving for capacitive loads and short propagation delay at power-on

IPS1025HF Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


IPS1025HF Détails du produit

Features
• 8.65 V to 60 V operating supply voltage range
• 2.4 A operating output current
• Smart driving of capacitive load
• Fast demagnetization of inductive loads
• Under-voltage lock-out
• VCC over-voltage protection
• Output overload and over-temperature protection
• Case over-temperature protection
• Ground disconnection protection
• Overload and over-temperature event diagnostic pins
• Designed to meet IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4, IEC 61000-4-5
• Packages: PowerSSO-24 and QFN48L 8x6x0.9 mm




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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