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SIR876ADP Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix
SIR876ADP Datasheet PDF - Vishay Siliconix
No de pièce SIR876ADP
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Taille du fichier   367.8 Kbytes
Page   13 Pages
Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Description N-Channel 100 V (D-S) MOSFETs

SIR876ADP Datasheet (PDF)

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SIR876ADP Datasheet PDF - Vishay Siliconix

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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Description N-Channel 100 V (D-S) MOSFETs

SIR876ADP Fiches technique (HTML) - Vishay Siliconix


SIR876ADP Détails du produit

FEATURES
• TrenchFET® power MOSFET
• 100 % Rg and UIS tested
• Material categorization: 
for definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS
• DC/DC primary side switch
• Telecom/server 48 V,
full/half-bridge DC/DC
• Industrial




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À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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