NVMYS2D2N06CL Fiches technique(PDF) - ON Semiconductor

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NVMYS2D2N06CL Fiches technique (PDF) - ON Semiconductor

NVMYS2D2N06CL Datasheet PDF - ON Semiconductor


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Fabricant	ONSEMI [ON Semiconductor]

Site Internet	http://www.onsemi.com

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Description

MOSFET ??Power, Single N-Channel 60 V, 2.0 m, 185 A

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No de pièce	NVMYS2D2N06CL

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Fabricant	ONSEMI [ON Semiconductor]

Site Internet	http://www.onsemi.com

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Description	MOSFET ??Power, Single N-Channel 60 V, 2.0 m, 185 A

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NVMYS2D2N06CL Détails du produit

Features
• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
• LFPAK4 Package, Industry Standard
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

Numéro de pièce similaire - NVMYS2D2N06CL

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	NVMYS2D1N04CL	336Kb / 7P	MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 2.5 m, 132 A June, 2019 ??Rev. 0
	NVMYS2D1N04CLTWG	336Kb / 7P	MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 2.5 m, 132 A June, 2019 ??Rev. 0
	NVMYS2D4N04C	279Kb / 7P	MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 2.3 m, 138 A July, 2019 ??Rev. 0
	NVMYS2D4N04CTWG	279Kb / 7P	MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 2.3 m, 138 A July, 2019 ??Rev. 0
	NVMYS2D9N04CL	340Kb / 7P	MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 2.8 m, 110 A July, 2019 ??Rev. 1

Description similaire - NVMYS2D2N06CL

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Fairchild Semiconductor	FQD11P06TM	1Mb / 9P	P-Channel QFET짰 MOSFET -60 V, -9.4 A, 185 m廓
ON Semiconductor	NVBGS4D1N15MC	233Kb / 7P	MOSFET - Single N-Channel 150 V, 4.1 m, 185 A December, 2019 ??Rev. 0
	NTBGS4D1N15MC	356Kb / 8P	MOSFET - Single N-Channel 150 V, 4.1 m, 185 A December, 2019 ??Rev. 0
	NTMT185N60S5H	397Kb / 9P	MOSFET - Power, Single N-Channel, SUPERFET V, FAST, Power88 600 V, 185 m, 15 A December,2021-Rev. 4
	NTMTSC002N10MC	273Kb / 7P	MOSFET - Power, Single N-Channel 100 V, 2.0 m, 236 A September, 2021-Rev. 1
	NTP185N60S5H	220Kb / 9P	MOSFET - Power, Single N-Channel, SUPERFET V, FAST, TO220 600 V, 185 m, 15 A August, 2021-Rev. 1
	NVLJWS022N06CL	160Kb / 7P	MOSFET - Power, Single N-Channel 60 V, 21 m, 25 A April, 2022 ??Rev. 1
	NVMJS1D7N04C	363Kb / 7P	MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 1.7 m, 185 A July, 2019 ??Rev. 1
	NVMTS001N06CL	401Kb / 7P	MOSFET ??Power, Single N-Channel 60 V, 0.81 m, 398.2 A May, 2021 ??Rev. 2
	NVMYS1D6N04CL	235Kb / 7P	MOSFET - Power, Single N-Channel 40 V, 1.6 m, 185 A September, 2021 ??Rev.2

À propos de ON Semiconductor

ON Semiconductor est une entreprise cotée en bourse qui conçoit, développe et fabrique une large gamme de produits semi-conducteurs pour une variété d'applications, notamment les marchés automobiles, informatiques, biens de consommation, industriels et communications.
La société a été fondée en 1999 et a son siège à Phoenix, en Arizona.
On Semiconductor offre un large portefeuille de gestion de l'énergie, des semi-conducteurs analogiques et discrets, notamment des MOSFET de puissance, des diodes, des redresseurs, des régulateurs de tension, entre autres.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour être économes en énergie, fiables et rentables et sont utilisés dans une variété d'applications, notamment l'électronique portable, les systèmes d'automatisation industrielle, les systèmes d'énergie renouvelable et l'électronique automobile.
On Semiconductor s'engage dans l'innovation et la satisfaction des clients, et s'engage à fournir les meilleures solutions de semi-conducteurs pour répondre aux besoins de nos clients.

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