MJD44E3 Fiches technique(PDF)

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MJD44E3 Fiches technique (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

MJD44E3 Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited


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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

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isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

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Description	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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MJD44E3 Datasheet HTML 1Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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MJD44E3 Détails du produit

DESCRIPTION
·High DC Current Gain
: hFE = 1000(Min)@ IC= 5A
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage
: VCE(sat) = 1.5V(Max)@ IC= 5A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance
and reliable operation

APPLICATIONS
·Designed for general-purpose amplifier and low-speed
switching applications

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ON Semiconductor	MJD44E3	202Kb / 4P	Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications February, 2012 - Rev. 10
Motorola, Inc	MJD44E3-1	80Kb / 4P	NPN DARLINGTON SILICON POWER TRANSISTOR 10 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS

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À propos de Inchange Semiconductor Company Limited

Inchange Semiconductor Company Limited est une société chinoise de semi-conducteurs fondée en 1997.

La société fournit une large gamme de produits, notamment des dispositifs d'énergie discrets et analogiques et des diodes pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Inchange est connu pour son accent sur la qualité et la fiabilité, et ses produits sont largement utilisés dans la gestion de l'alimentation, l'éclairage et d'autres applications.

La société a des opérations dans plusieurs pays et est l'un des principaux fournisseurs de dispositifs d'électricité et de diodes dans la région Asie-Pacifique.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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