NSS1002CL Fiches technique(PDF) - ON Semiconductor

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NSS1002CL Fiches technique (PDF) - ON Semiconductor

NSS1002CL Datasheet PDF - ON Semiconductor


No de pièce	NSS1002CL

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Taille du fichier	369.2 Kbytes

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Fabricant	ONSEMI [ON Semiconductor]

Site Internet	http://www.onsemi.com

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Bipolar Transistor 100 V, 2.5 A, Low VCE(sat) NPN Single LFPAK

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Fabricant	ONSEMI [ON Semiconductor]

Site Internet	http://www.onsemi.com

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Description	Bipolar Transistor 100 V, 2.5 A, Low VCE(sat) NPN Single LFPAK

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NSS1002CL Détails du produit

This device is bipolar junction transistor featuring high current, low
saturation voltage, and high speed switching. Suitable for automotive applications. AEC−Q101 qualified and PPAP capable. (NSVS1002CLTWG)

Features
• Complement to NSS1001CL
• Large Current Capacitance
• Low Collector to Emitter Saturation Voltage
• Thin Profile LFPAK8 3.3 x 3.3 mm Package
• High−Speed Switching
• High Allowable Power Dissipation
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable (NSVS1002CLTWG)
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Typical Applications
• Load Switch
• Gate Driver Buffer
• DC−DC Converters

Numéro de pièce similaire - NSS1002CL

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	NSS1001CL	384Kb / 7P	Bipolar Transistor -100 V, -2.5 A, Low VCE(sat) PNP Single LFPAK February, 2022 ??Rev. 0
ON Semiconductor	NSS1001CLTWG	384Kb / 7P	Bipolar Transistor -100 V, -2.5 A, Low VCE(sat) PNP Single LFPAK February, 2022 ??Rev. 0

Description similaire - NSS1002CL

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	NSS1C201LT1G	107Kb / 5P	100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor September, 2008 ??Rev. 0
	NSS1C201MZ4	122Kb / 6P	100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor November, 2008 ??Rev. 0
	NSS40301MZ4	114Kb / 6P	Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor September, 2010 ??Rev. 1
	NSS1C301ET4G	83Kb / 5P	100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor September, 2013 ??Rev. 3
	NSS1C201L	78Kb / 6P	100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) Transistor December, 2014 ??Rev. 5
	NSS1C201MZ4	106Kb / 6P	100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor September, 2010 ??Rev. 2
	NSS1C301ET4G	116Kb / 5P	100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor January, 2014 ??Rev. 4
	NSS1001CL	384Kb / 7P	Bipolar Transistor -100 V, -2.5 A, Low VCE(sat) PNP Single LFPAK February, 2022 ??Rev. 0
	NSVS50030SB3	169Kb / 7P	Bipolar Transistor (-)50 V, (-)3 A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single December, 2018 ??Rev. 1
	NSV1C300CT	292Kb / 7P	Bipolar Power Transistors 100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor February, 2021 - Rev. 0

À propos de ON Semiconductor

ON Semiconductor est une entreprise cotée en bourse qui conçoit, développe et fabrique une large gamme de produits semi-conducteurs pour une variété d'applications, notamment les marchés automobiles, informatiques, biens de consommation, industriels et communications.
La société a été fondée en 1999 et a son siège à Phoenix, en Arizona.
On Semiconductor offre un large portefeuille de gestion de l'énergie, des semi-conducteurs analogiques et discrets, notamment des MOSFET de puissance, des diodes, des redresseurs, des régulateurs de tension, entre autres.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour être économes en énergie, fiables et rentables et sont utilisés dans une variété d'applications, notamment l'électronique portable, les systèmes d'automatisation industrielle, les systèmes d'énergie renouvelable et l'électronique automobile.
On Semiconductor s'engage dans l'innovation et la satisfaction des clients, et s'engage à fournir les meilleures solutions de semi-conducteurs pour répondre aux besoins de nos clients.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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