NVC080N120SC1 Fiches technique(PDF) - ON Semiconductor

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NVC080N120SC1 Fiches technique (PDF) - ON Semiconductor

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No de pièce	NVC080N120SC1

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Fabricant	ONSEMI [ON Semiconductor]

Site Internet	http://www.onsemi.com

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Description

MOSFET ??N?륝hannel, Silicon Carbide 1200 V, 80 m

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Fabricant	ONSEMI [ON Semiconductor]

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Description	MOSFET ??N?륝hannel, Silicon Carbide 1200 V, 80 m

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NVC080N120SC1 Détails du produit

Description
Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology
that provide superior switching performance and higher reliability
compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact
chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently,
system benefits include highest efficiency, faster operation frequency,
increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Features
• 1200 V @ TJ = 175°C
• Typ RDS(on) = 80 m at VGS = 20 V, ID = 20 A
• High Speed Switching with Low Capacitance
• 100% UIL Tested
• Qualified According to AEC−Q101
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

Applications
• Automotive Traction Inverter
• Automotive DC/DC Converter for EV/HEV

Numéro de pièce similaire - NVC080N120SC1

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	NVC020N120SC1	215Kb / 8P	MOSFET ??N?륝hannel, Silicon Carbide 1200 V, 20 m June, 2020-Rev. 0
ON Semiconductor	NVC040N120SC1	223Kb / 8P	MOSFET ??N?륝hannel, Silicon Carbide 1200 V, 40 m September, 2020-Rev. 0

Description similaire - NVC080N120SC1

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	NTH4L080N120SC1	419Kb / 8P	MOSFET ??Power, N-Channel, Silicon Carbide, 1200 V, 80 m December, 2019??Rev. 1
ON Semiconductor	NVH4L080N120SC1	278Kb / 7P	MOSFET ??Power, N-Channel, Silicon Carbide, TO-247-4L 1200 V, 80 m December, 2019??Rev. 1
Cree, Inc	CAB011M12FM3	2Mb / 11P	1200 V, 11 m廓 All-Silicon Carbide
ON Semiconductor	NTC020N120SC1	215Kb / 8P	MOSFET ??N?륝hannel, Silicon Carbide 1200 V, 20 m May, 2020 ??Rev. 0
	NTC040N120SC1	223Kb / 8P	MOSFET ??N?륝hannel, Silicon Carbide 1200 V, 40 m September, 2020 ??Rev. 0
	NTC080N120SC1	273Kb / 8P	MOSFET ??N?륝hannel, Silicon Carbide 1200 V, 80 m June, 2020 ??Rev. 0
	NVC020N120SC1	215Kb / 8P	MOSFET ??N?륝hannel, Silicon Carbide 1200 V, 20 m June, 2020-Rev. 0
	NVC040N120SC1	223Kb / 8P	MOSFET ??N?륝hannel, Silicon Carbide 1200 V, 40 m September, 2020-Rev. 0
Alpha & Omega Semicondu...	AOK150V120X2Q	833Kb / 9P	1200 V αSiC Silicon Carbide Power MOSFET Rev. 1.1 September 2021
Alpha & Omega Semicondu...	AOK033V120X2	829Kb / 9P	1200 V αSiC Silicon Carbide Power MOSFET Rev. 1.0 June 2021

À propos de ON Semiconductor

ON Semiconductor est une entreprise cotée en bourse qui conçoit, développe et fabrique une large gamme de produits semi-conducteurs pour une variété d'applications, notamment les marchés automobiles, informatiques, biens de consommation, industriels et communications.
La société a été fondée en 1999 et a son siège à Phoenix, en Arizona.
On Semiconductor offre un large portefeuille de gestion de l'énergie, des semi-conducteurs analogiques et discrets, notamment des MOSFET de puissance, des diodes, des redresseurs, des régulateurs de tension, entre autres.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour être économes en énergie, fiables et rentables et sont utilisés dans une variété d'applications, notamment l'électronique portable, les systèmes d'automatisation industrielle, les systèmes d'énergie renouvelable et l'électronique automobile.
On Semiconductor s'engage dans l'innovation et la satisfaction des clients, et s'engage à fournir les meilleures solutions de semi-conducteurs pour répondre aux besoins de nos clients.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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