CQY37N Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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CQY37N Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

CQY37N Datasheet PDF - Vishay Siliconix


No de pièce	CQY37N

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Description	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs

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CQY37N Détails du produit

• Package type: leaded
• Package form: T-¾
• Dimensions (in mm): Ø 1.8
• Peak wavelength: λp = 950 nm
• High reliability
• Angle of half intensity: φ = ± 12°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Package matches with detector BPW17N
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC

Numéro de pièce similaire - CQY37N

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	CQY37N	76Kb / 5P	GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-3/4)Package 20-May-99
	CQY37N	106Kb / 6P	GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-4/3) Package 30-Mar-06
	CQY37N	293Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08
	CQY37N	278Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 08-Mar-11
	CQY37N	280Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 08-Mar-11

Description similaire - CQY37N

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	CQY37N	278Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 08-Mar-11
	TSUS5200	112Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 29-Jun-09
	TSUS3400	108Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 25-Aug-11
	TSUS6202	109Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 29-Sep-15
	TSUS6402	108Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 28-May-15
	TSUS5200	109Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 24-Aug-11
	TSUS4300	110Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 20-Oct-15
	TSKS5400	144Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 03-Sep-13
	TSUS4400	113Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 19-Jan-2021
	TSUS5402	118Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 18-Jan-2021

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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