VX80170PWHM3/P Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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VX80170PWHM3/P Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 10 A

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VX80170PWHM3/P Détails du produit

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder bath temperature 275 °C maximum,
10 s per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified available:
- Automotive ordering code: base P/NHM3

Numéro de pièce similaire - VX80170PWHM3/P

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	VX80100PW	133Kb / 5P	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 10 A 09-Sep-2020
	VX80100PW-M3/P	133Kb / 5P	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 10 A 09-Sep-2020
	VX80100PWHM3/P	133Kb / 5P	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 10 A 09-Sep-2020

Description similaire - VX80170PWHM3/P

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	V80100P	107Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.425 V at IF = 10 A 26-May-08
	VBT1080S-M3	90Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-May-13
	VT2080C-E3	158Kb / 6P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-Dec-16
	V30M120C	144Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 17-Nov-16
	VB30M120C-E3	93Kb / 4P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 03-Jan-17
	VBT2080C-M3	90Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-May-13
	VF30M120C-M3	92Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 02-Dec-13
	V60H150PW-M3	94Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 10 A 04-Dec-13
	V60170PW-M3	94Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 10 A 04-Dec-13

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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