SE20PBDGJ Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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SE20PBDGJ Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

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Surface-Mount ESD Capability Rectifiers

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Description	Surface-Mount ESD Capability Rectifiers

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SE20PBDGJ Détails du produit

• Very low profile - typical height of 1.0 mm
• Ideal for automated placement
• Oxide planar chip junction
• Low forward voltage drop
• ESD capability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,
LF maximum peak of 260 °C
• AEC-Q101 qualified

Numéro de pièce similaire - SE20PBDGJ

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	SE20PB	130Kb / 5P	Surface-Mount ESD Capability Rectifiers Revision: 16-Apr-2020
	SE20PB	103Kb / 5P	Surface-Mount ESD Capability Rectifiers 01-Jan-2022
	SE20PB	103Kb / 5P	Surface-Mount ESD Capability Rectifiers 01-Jan-2022

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	SE30PAB	152Kb / 5P	Surface-Mount ESD Capability Rectifiers 01-Jan-2022
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À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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