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V61103C Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

V61103C Datasheet PDF - Vishay Siliconix
No de pièce V61103C
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Taille du fichier   147.64 Kbytes
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Description Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 5 A

V61103C Datasheet (PDF)

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V61103C Datasheet PDF - Vishay Siliconix

No de pièce V61103C
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
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Description Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 5 A

V61103C Fiches technique (HTML) - Vishay Siliconix


V61103C Détails du produit

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,
per JESD 22-B106




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À propos de Vishay Siliconix


Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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