V30DM120C Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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V30DM120C Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

V30DM120C Datasheet PDF - Vishay Siliconix


No de pièce	V30DM120C

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Taille du fichier	126.96 Kbytes

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

Site Internet	http://www.vishay.com

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Dual TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

Site Internet	http://www.vishay.com

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Description	Dual TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A

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V30DM120C Détails du produit

• Trench MOS Schottky technology
• Very low profile - typical height of 1.7 mm
• Ideal for automated placement
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• AEC-Q101 qualified available:
- Automotive ordering code: base P/NHM3
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °C

Numéro de pièce similaire - V30DM120C

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	V30DM120C	127Kb / 5P	Dual TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A 27-Mar-2020
	V30DM120C-M3	102Kb / 6P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 06-Feb-15
	V30DM120C-M3	95Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 08-Apr-15
	V30DM120CHM3	102Kb / 6P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 06-Feb-15
	V30DM120CHM3	95Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 08-Apr-15

Description similaire - V30DM120C

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	VBT1080S-M3	90Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-May-13
	VBT2080S-M3	95Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 14-May-13
	VBT3080S-M3	88Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 14-May-13
	VFT3080S-M3	89Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 11-Sep-13
	VT760-E3	141Kb / 6P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 15-Dec-16
	VT2080C-E3	158Kb / 6P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-Dec-16
	VBT2080C-M3	90Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-May-13
	VBT3080C-M3	89Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 14-May-13
	V80H150PW-M3	94Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 10 A 04-Dec-13
	V80170PW-M3	94Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 10 A 04-Dec-13

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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