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V10D170CHM3/I Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix
V10D170CHM3/I Datasheet PDF - Vishay Siliconix
No de pièce V10D170CHM3/I
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Description Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

V10D170CHM3/I Datasheet (PDF)

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V10D170CHM3/I Datasheet PDF - Vishay Siliconix

No de pièce V10D170CHM3/I
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Description Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

V10D170CHM3/I Fiches technique (HTML) - Vishay Siliconix


V10D170CHM3/I Détails du produit

• Very low profile - typical height of 1.7 mm
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,
LF maximum peak of 260 °C
• AEC-Q101 qualified available




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À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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