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IRF9Z20 Fiches technique (PDF) - Samsung semiconductor
IRF9Z20 Datasheet PDF - Samsung semiconductor
No de pièce IRF9Z20
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Taille du fichier   287.18 Kbytes
Page   5 Pages
Fabricant  SAMSUNG [Samsung semiconductor]
Site Internet  http://www.samsung.com/Products/Semiconductor
Logo SAMSUNG - Samsung semiconductor
Description P-CHANNEL POWER MOSFETs

IRF9Z20 Datasheet (PDF)

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IRF9Z20 Datasheet PDF - Samsung semiconductor

No de pièce IRF9Z20
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Taille du fichier   287.18 Kbytes
Page   5 Pages
Fabricant  SAMSUNG [Samsung semiconductor]
Site Internet  http://www.samsung.com/Products/Semiconductor
Logo SAMSUNG - Samsung semiconductor
Description P-CHANNEL POWER MOSFETs

IRF9Z20 Fiches technique (HTML) - Samsung semiconductor


IRF9Z20 Détails du produit

FEATURES
• Lower RDS(ON)
• Improved inductive ruggedness
• Fast switching times
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Lower input capacitance
• Extended safe operating area
• Improved high tmeperature reliability




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