2SD2162 Fiches technique(PDF)

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2SD2162 Fiches technique (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

2SD2162 Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited


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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

Site Internet	http://www.iscsemi.cn

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isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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2SD2162 Détails du produit

DESCRIPTION
• High hFE due to Darlington connection
: HFE ≥ 2,000 @(VCE = 2.0 V, IC = 3.0 A)
• Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat) ≤1.5V @ (IC=3A, IB= 3mA)
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation

APPLICATIONS
• Designed for low-frequency power amplifiers and low-speed switching applications.

Numéro de pièce similaire - 2SD2162

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NEC	2SD2162	112Kb / 6P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
Renesas Technology Corp	2SD2162	235Kb / 8P	SILICON POWER TRANSISTOR
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À propos de Inchange Semiconductor Company Limited

Inchange Semiconductor Company Limited est une société chinoise de semi-conducteurs fondée en 1997.

La société fournit une large gamme de produits, notamment des dispositifs d'énergie discrets et analogiques et des diodes pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Inchange est connu pour son accent sur la qualité et la fiabilité, et ses produits sont largement utilisés dans la gestion de l'alimentation, l'éclairage et d'autres applications.

La société a des opérations dans plusieurs pays et est l'un des principaux fournisseurs de dispositifs d'électricité et de diodes dans la région Asie-Pacifique.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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