2SA1714M Fiches technique(PDF) - NEC

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2SA1714M Fiches technique (PDF) - NEC

2SA1714M Datasheet PDF - NEC


No de pièce	2SA1714M

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PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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Description	PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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2SA1714M Détails du produit

PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SA1714 is a high-speed darlington power transistor. This transistor is ideal for high-precision control such as PWM control for pulse mortors or blushless mortor of OA and FA equipment.

FEATURES
• High DC current amplifiers due to darlington connection
• Large current capacitance and low VCE(sat)
• TO-126 power transistor with high power dissipation
• Complementary transistor with 2SC4342

Numéro de pièce similaire - 2SA1714M

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Renesas Technology Corp	2SA1714	264Kb / 8P	SILICON TRANSISTOR 2002

Description similaire - 2SA1714M

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NEC	2SA1720	113Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING
	2SB601	110Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SA1840	124Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING
	2SA1841	194Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING
	2SB1430	115Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SC4810	120Kb / 6P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING
	2SC4811	130Kb / 6P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING
Renesas Technology Corp	2SB963-Z	739Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)
	2SB1432	229Kb / 8P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SB1431	257Kb / 8P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

À propos de NEC

NEC Corporation est une société japonaise de technologies de l'information et d'électronique. La société a été fondée en 1899 et a son siège à Tokyo, au Japon. NEC fournit une large gamme de produits et services, notamment les technologies de l'information, les télécommunications et l'électronique. Son portefeuille comprend du matériel informatique, des logiciels et des services, des solutions réseau, des solutions d'affichage et des serveurs d'entreprise et des solutions de stockage.

NEC est connue pour son expertise dans le domaine des technologies de l'information et sa capacité à fournir des produits et services innovants et de haute qualité. La société a des opérations et des installations dans divers pays à travers le monde et a une forte présence dans la région Asie-Pacifique. NEC travaille en étroite collaboration avec ses clients pour fournir des solutions personnalisées qui répondent à leurs besoins et besoins spécifiques.

En plus de son cœur de métier, NEC est également actif dans les domaines de la recherche et du développement et est impliqué dans divers projets liés à des technologies avancées telles que l'intelligence artificielle, les réseaux 5G et l'Internet des objets (IoT). NEC s'engage à fournir des solutions durables qui soutiennent le développement de la société et améliorent la qualité de vie des personnes du monde entier.

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