S9012 Fiches technique(PDF) - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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S9012 Fiches technique (PDF) - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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PNP Silicon General Purpose Transistor

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Description	PNP Silicon General Purpose Transistor

S9012 Fiches technique (HTML) - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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S9012 Détails du produit

FEATURES
Power dissipation
     PCM : 0.3 W
Collector Current
     ICM : - 0.5 A
Collector-base voltage
     V(BR)CBO : - 40 V
Operating & storage junction temperature
     Tj, Tstg : - 55°C ~ + 150°C

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