IRF3315S Fiches technique(PDF)

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IRF3315S Fiches technique (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

IRF3315S Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited


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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

Site Internet	http://www.iscsemi.cn

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Isc N-Channel MOSFET Transistor

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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

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Description	Isc N-Channel MOSFET Transistor

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IRF3315S Datasheet HTML 1Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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IRF3315S Détails du produit

• FEATURES
• With To-263(D2PAK) package
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
• 100% avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

• APPLICATIONS
• Switching applications

Numéro de pièce similaire - IRF3315S

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRF3315S	197Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A)
	IRF3315SPBF	386Kb / 10P	HEXFET Power MOSFET
	IRF3315SPBF	391Kb / 11P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
	IRF3315SPBF	391Kb / 11P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

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	ISCN1894	325Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
	IPA60R199CP	333Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
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À propos de Inchange Semiconductor Company Limited

Inchange Semiconductor Company Limited est une société chinoise de semi-conducteurs fondée en 1997.

La société fournit une large gamme de produits, notamment des dispositifs d'énergie discrets et analogiques et des diodes pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Inchange est connu pour son accent sur la qualité et la fiabilité, et ses produits sont largement utilisés dans la gestion de l'alimentation, l'éclairage et d'autres applications.

La société a des opérations dans plusieurs pays et est l'un des principaux fournisseurs de dispositifs d'électricité et de diodes dans la région Asie-Pacifique.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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