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PF0313 Fiches technique (PDF) - Hitachi Semiconductor
PF0313 Datasheet PDF - Hitachi Semiconductor
No de pièce PF0313
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Taille du fichier   57.16 Kbytes
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Fabricant  HITACHI [Hitachi Semiconductor]
Site Internet  http://www.renesas.com/eng
Logo HITACHI - Hitachi Semiconductor
Description MOS FET Power Amplifier Module for VHF Band

PF0313 Datasheet (PDF)

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PF0313 Datasheet PDF - Hitachi Semiconductor

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Fabricant  HITACHI [Hitachi Semiconductor]
Site Internet  http://www.renesas.com/eng
Logo HITACHI - Hitachi Semiconductor
Description MOS FET Power Amplifier Module for VHF Band

PF0313 Fiches technique (HTML) - Hitachi Semiconductor


PF0313 Détails du produit

MOS FET Power Amplifier Module for VHF Band



Features

•  Small package: 30 ×10 ×5.9 mm

•  Low operation voltage: 7 W at 7.2 V

•  High efficiency: 55% Typ

•  Low power control current: 0.5 mA Max




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À propos de Hitachi Semiconductor

Hitachi Semiconductor est une filiale de Hitachi, Ltd., une entreprise japonaise spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs.
La société a été créée en 1970 et a son siège à Tokyo, au Japon.
Hitachi Semiconductor propose une large gamme de produits, notamment des produits de mémoire, des microcontrôleurs, des circuits intégrés de gestion de l'alimentation et d'autres semi-conducteurs analogiques et numériques.
Les produits de l'entreprise sont utilisés dans diverses applications telles que l'électronique grand public, les systèmes automobiles et les équipements industriels.
Hitachi Semiconductor est connu pour son expertise dans la technologie des semi-conducteurs et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
La société possède des opérations et des installations dans divers pays à travers le monde et travaille en étroite collaboration avec ses clients pour fournir des solutions de semi-conducteurs personnalisées qui répondent à leurs exigences et besoins spécifiques.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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