IXBR42N170 Fiches technique(PDF) - IXYS Corporation

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IXBR42N170 Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

IXBR42N170 Datasheet PDF - IXYS Corporation


No de pièce	IXBR42N170

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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

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High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

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IXBR42N170 Détails du produit

Features
● Silicon chip on Direct-Copper Bond (DCB) substrate
● Isolated mounting surface
● 2500V electrical isolation

Advantages
● Low gate drive requirement
● High power density

Applications:
● Switched-mode and resonant-mode power supplies
● Uninterruptible power supplies (UPS)
● Laser generator
● Capacitor discharge circuit
● AC switches

Numéro de pièce similaire - IXBR42N170

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXBA10N300HV	267Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBA12N300HV	253Kb / 5P	High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBA14N300HV	365Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBA16N170AHV	168Kb / 2P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBD4410	705Kb / 11P	ISOSMART Half Bridge Driver Chipset

Description similaire - IXBR42N170

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXBH42N170	581Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH12N300	183Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBK55N300	221Kb / 6P	High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH24N170	181Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBN42N170A	206Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBA14N300HV	365Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBA16N170AHV	168Kb / 2P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBF32N300	201Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH16N170	182Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH20N300	180Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

À propos de IXYS Corporation

Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

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