IXBX25N250 Fiches technique(PDF) - IXYS Corporation

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IXBX25N250 Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

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High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

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IXBX25N250 Détails du produit

Features
• High Blocking Voltage
• International Standard Package
• Low Conduction Losses

Advantages
• Low Gate Drive Requirement
• High Power Density

Applications
• Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• Laser Generator
• Capacitor Discharge Circuit
• AC Switches

Numéro de pièce similaire - IXBX25N250

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXBX50N360HV	241Kb / 6P	BiMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor High Voltage, High Frequency
	IXBX55N300	221Kb / 6P	High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBX64N250	198Kb / 6P	Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBX75N170	185Kb / 5P	BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBX75N170	185Kb / 5P	BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Description similaire - IXBX25N250

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXBH16N170A	51Kb / 2P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH10N170	596Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH6N170	113Kb / 2P	High Voltage, High Gain BIMOSFET??Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBF12N300	207Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	MMIX4B12N300	259Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	MMIX4B20N300	255Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	MMIX4B22N300	238Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT20N300HV	206Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT20N360HV	286Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT32N300HV	309Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

À propos de IXYS Corporation

Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

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