IXKR47N60C5 Fiches technique(PDF) - IXYS Corporation

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IXKR47N60C5 Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

IXKR47N60C5 Datasheet PDF - IXYS Corporation


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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

Site Internet	http://www.ixys.com

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Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge

IXKR47N60C5 Datasheet (PDF)

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Description	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge

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IXKR47N60C5 Détails du produit

CoolMOS™ 1) Power MOSFET

Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation
N-Channel Enhancement Mode
Low RDSon, high VDSS MOSFET
Ultra low gate charge

Features
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
    - high power dissipation
    - isolated mounting surface
    - 2500 V electrical isolation
    - low drain to tab capacitance (< 30 pF)
• Fast CoolMOS™ 1) power MOSFET 4th generation
    - high blocking capability
    - lowest resistance
    - avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)
    - low thermal resistance due to reduced chip thickness
• Enhanced total power density

Applications
• Switched mode power supplies (SMPS)
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Power factor correction (PFC)
• Welding
• Inductive heating
• PDP and LCD adapter

Advantages
• Easy assembly: no screws or isolation foils required
• Space savings
• High power density
• High reliability

Numéro de pièce similaire - IXKR47N60C5

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXKR40N60	46Kb / 2P	CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package
IXYS Corporation	IXKR40N60C	46Kb / 2P	CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package
Inchange Semiconductor ...	IXKR40N60C	364Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor

Description similaire - IXKR47N60C5

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	IXKC15N60C5	119Kb / 4P	Electrically isolated back surface Electrically isolated back surface
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	DSEE8-06CC	65Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	IXKC19N60C5	120Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge

À propos de IXYS Corporation

Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

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