2SB1157 Fiches technique(PDF) - New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

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Silicon PNP Power Transistor

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Description	Silicon PNP Power Transistor

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2SB1157 Détails du produit

DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)CEo=-100V(Min)
• Good Linearity of hFE
• Wide Area of Safe Operation
• Complement to Type 2SD1712

APPLICATIONS
• Designed for high power amplifier applications

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