BD314 Fiches technique(PDF) - New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

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BD314 Fiches technique (PDF) - New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

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Silicon PNP Power Transistor

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Description	Silicon PNP Power Transistor

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BD314 Détails du produit

DESCRIPTION
• Excellent Safe Operating Area
• DC Current Gain-hFE= 25(Min.)@IC = -4A
• Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.0 V(Max)@ IC = -5A
• Complement to Type BD313

APPLICATIONS
• Designed for high quality amplifiers operating up to 60 watts into 4 ohm load.

Numéro de pièce similaire - BD314

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Inchange Semiconductor ...	BD314	216Kb / 2P	isc Silicon PNP Power Transistor

Description similaire - BD314

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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Microsemi Corporation	2N5151	60Kb / 2P	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
Inchange Semiconductor ...	2SA1303	106Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor
Inchange Semiconductor ...	2SA1741	164Kb / 3P	Silicon PNP Power Transistor
New Jersey Semi-Conduct...	2SA1880	76Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor
	2SA1939	75Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor
	2SA1941	74Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor
	2SA1943	81Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor
	2SA1986	75Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor
	BDY83	76Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor

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