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HY27US08561M Fiches technique (PDF) - Hynix Semiconductor

HY27US08561M Datasheet PDF - Hynix Semiconductor
No de pièce HY27US08561M
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Taille du fichier   733.15 Kbytes
Page   44 Pages
Fabricant  HYNIX [Hynix Semiconductor]
Site Internet  http://www.skhynix.com/kor/main.do
Logo HYNIX - Hynix Semiconductor
Description 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash

HY27US08561M Datasheet (PDF)

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HY27US08561M Datasheet PDF - Hynix Semiconductor

No de pièce HY27US08561M
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Page   44 Pages
Fabricant  HYNIX [Hynix Semiconductor]
Site Internet  http://www.skhynix.com/kor/main.do
Logo HYNIX - Hynix Semiconductor
Description 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash

HY27US08561M Fiches technique (HTML) - Hynix Semiconductor


HY27US08561M Détails du produit

DESCRIPTION
The HYNIX HY27(U/S)SXX561M series is a family of non-volatile Flash memories that uses NAND cell technology. The devices operate 3.3V and 1.8V voltage supply. The size of a Page is either 528 Bytes (512 + 16 spare) or 264 Words (256 + 8 spare) depending on whether the device has a x8 or x16 bus width.

FEATURES SUMMARY
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
    - Cost effective solutions for mass storage applications
NAND INTERFACE
    - x8 or x16 bus width.
    - Multiplexed Address/ Data
    - Pinout compatibility for all densities
SUPPLY VOLTAGE
    - 3.3V device: VCC = 2.7 to 3.6V : HY27USXX561M
    - 1.8V device: VCC = 1.7 to 1.95V : HY27SSXX561M
Memory Cell Array
    - 256Mbit = 528 Bytes x 32 Pages x 2,048 Blocks

PAGE SIZE
- x8 device : (512 + 16 spare) Bytes : HY27US08561M
- x16 device: (256 + 8 spare) Words : HY27US16561M
BLOCK SIZE
    - x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
    - x16 device: (8K + 256 spare) Words
PAGE READ / PROGRAM
    - Random access: 10us (max)
    - Sequential access: 50ns (min)
    - Page program time: 200us (typ)
COPY BACK PROGRAM MODE
    - Fast page copy without external buffering

FAST BLOCK ERASE
    - Block erase time: 2ms (Typ)
STATUS REGISTER
ELECTRONIC SIGNATURE

CHIP ENABLE DONT CARE OPTION
    - Simple interface with microcontroller
AUTOMATIC PAGE 0 READ AT POWER-UP OPTION
    - Boot from NAND support
    - Automatic Memory Download
SERIAL NUMBER OPTION
HARDWARE DATA PROTECTION
    - Program/Erase locked during Power transitions
DATA INTEGRITY
    - 100,000 Program/Erase cycles
    - 10 years Data Retention
PACKAGE
    - HY27US(08/16)561M-T(P) : 48-Pin TSOP1 (12 x 20 x 1.2 mm)
        - HY27US(08/16)561M-T (Lead)
        - HY27US(08/16)561M-TP (Lead Free)
    - HY27US08561M-V(P) : 48-Pin WSOP1 (12 x 17 x 0.7 mm)
        - HY27US08561M-V (Lead)
        - HY27US08561M-VP (Lead Free)
    - HY27(U/S)S(08/16)561M-F(P) : 63-Ball FBGA (9.0 x 11 x 1.0 mm)
        - HY27US(08/16)561M-F (Lead)
        - HY27US(08/16)561M-FP (Lead Free)
        - HY27SS(08/16)561M-F (Lead)
        - HY27SS(08/16)561M-FP (Lead Free)




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À propos de Hynix Semiconductor


Hynix Semiconductor est une entreprise sud-coréenne spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de mémoire.
La société a été fondée en 1983 et a son siège à Icheon, en Corée du Sud.
Hynix est l'un des principaux producteurs mondiaux de DRAM (Dynamic Random Access Memory) et NAND Flash Memory, qui sont utilisés dans diverses applications telles que les systèmes informatiques, les appareils mobiles et les lecteurs à semi-conducteurs.
Hynix est connu pour son expertise dans la technologie des semi-conducteurs de mémoire et sa capacité à fournir des produits de mémoire de haute qualité et haute performance à ses clients.
La société possède des opérations et des installations dans divers pays du monde et travaille en étroite collaboration avec ses clients pour fournir des solutions de mémoire personnalisées qui répondent à leurs exigences et besoins spécifiques.
En plus de ses produits de mémoire, Hynix fournit également une gamme de produits et de solutions pour les marchés de l'automobile et des centres de données, tels que les produits System-on-a-Chip (SOC) et les produits de mémoire à large bande passante (HBM).

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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