SI4920DY Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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SI4920DY Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Description	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4920DY Détails du produit

FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET® Power MOSFETs
• 100 % Rg Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Numéro de pièce similaire - SI4920DY

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	SI4920DY-T1	225Kb / 8P	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 04-May-09
	SI4920DY-T1-E3	225Kb / 8P	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 04-May-09
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Description similaire - SI4920DY

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	SI1970DH	120Kb / 7P	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 27-Nov-06
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	SI9936BDY-T1-GE3	252Kb / 9P	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 27-Apr-09
	SI4932DY	111Kb / 7P	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 22-Dec-08

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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