NE461M02 Fiches technique(PDF) - NEC

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NE461M02 Fiches technique (PDF) - NEC

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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

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Description	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

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NE461M02 Détails du produit

DESCRIPTION
The NE461M02 is an NPN silicon epitaxial bipolar transistor designed for medium power applications requiring high dynamic range and low intermodulation distortion. This device offers excellent performance and reliability at low cost through NECs titanium, platinum, gold metallization system and direct nitride passivation of the surface of the chip. The NE461M02 is an excellent choice for low noise amplifiers in the VHF to UHF band and is suitable for CATV and other telecommunication applications.

FEATURES
• HIGH COLLECTOR CURRENT: 250 mA MAX
• NEW HIGH GAIN POWER MINI-MOLD PACKAGE (SOT-89 TYPE)
• HIGH OUTPUT POWER AT 1 dB COMPRESSION: 27 dBm TYP at 1 GHz
• HIGH IP3: 37 dBm TYP at 1 GHz

Numéro de pièce similaire - NE461M02

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NEC	NE46100	137Kb / 10P	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
California Eastern Labs	NE46100	284Kb / 11P	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
NEC	NE46134	137Kb / 10P	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
California Eastern Labs	NE46134	284Kb / 11P	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
NEC	NE46134-T1	137Kb / 10P	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR

Description similaire - NE461M02

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	2SC5338	71Kb / 10P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
	NE856M02	63Kb / 7P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
California Eastern Labs	NE856M02	206Kb / 8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
Renesas Technology Corp	2SC5336	180Kb / 10P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
Renesas Technology Corp	2SC5338	186Kb / 10P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
California Eastern Labs	2SC5336	1Mb / 7P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
FutureWafer Tech Co.,Lt...	2SC1815	891Kb / 7P	Low Frequency Amplifier NPN Epitaxial Silicon Transistor 27-NOV-2021 V 2.0
FutureWafer Tech Co.,Lt...	2SC945	932Kb / 7P	Low Frequency Amplifier NPN Epitaxial Silicon Transistor 27-NOV-2021 V 2.0

À propos de NEC

NEC Corporation est une société japonaise de technologies de l'information et d'électronique. La société a été fondée en 1899 et a son siège à Tokyo, au Japon. NEC fournit une large gamme de produits et services, notamment les technologies de l'information, les télécommunications et l'électronique. Son portefeuille comprend du matériel informatique, des logiciels et des services, des solutions réseau, des solutions d'affichage et des serveurs d'entreprise et des solutions de stockage.

NEC est connue pour son expertise dans le domaine des technologies de l'information et sa capacité à fournir des produits et services innovants et de haute qualité. La société a des opérations et des installations dans divers pays à travers le monde et a une forte présence dans la région Asie-Pacifique. NEC travaille en étroite collaboration avec ses clients pour fournir des solutions personnalisées qui répondent à leurs besoins et besoins spécifiques.

En plus de son cœur de métier, NEC est également actif dans les domaines de la recherche et du développement et est impliqué dans divers projets liés à des technologies avancées telles que l'intelligence artificielle, les réseaux 5G et l'Internet des objets (IoT). NEC s'engage à fournir des solutions durables qui soutiennent le développement de la société et améliorent la qualité de vie des personnes du monde entier.

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