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IPP50R350CP Fiches technique (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

IPP50R350CP Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited
No de pièce IPP50R350CP
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Page   2 Pages
Fabricant  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
Site Internet  http://www.iscsemi.cn
Logo ISC - Inchange Semiconductor Company Limited
Description N-Channel MOSFET Transistor

IPP50R350CP Datasheet (PDF)

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IPP50R350CP Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited

No de pièce IPP50R350CP
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Fabricant  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
Site Internet  http://www.iscsemi.cn
Logo ISC - Inchange Semiconductor Company Limited
Description N-Channel MOSFET Transistor

IPP50R350CP Fiches technique (HTML) - Inchange Semiconductor Company Limited

IPP50R350CP Datasheet HTML 1Page - Inchange Semiconductor Company Limited IPP50R350CP Datasheet HTML 2Page - Inchange Semiconductor Company Limited

IPP50R350CP Détails du produit

• DESCRITION
• Ultra low gate charge
• High peak current capability

• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
   RDS(on) ≤0.35Ω
• Enhancement mode
• Fast Switching Speed
• 100% avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
   performance and reliable operation




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À propos de Inchange Semiconductor Company Limited


Inchange Semiconductor Company Limited est une société chinoise de semi-conducteurs fondée en 1997.

La société fournit une large gamme de produits, notamment des dispositifs d'énergie discrets et analogiques et des diodes pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Inchange est connu pour son accent sur la qualité et la fiabilité, et ses produits sont largement utilisés dans la gestion de l'alimentation, l'éclairage et d'autres applications.

La société a des opérations dans plusieurs pays et est l'un des principaux fournisseurs de dispositifs d'électricité et de diodes dans la région Asie-Pacifique.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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