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Index   2N2222A(158) Résultats de recherche (s) pour.
Données
correspondantes,
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 2N2222A(38) 2N2222AB(1) 2N2222AD(1) 2N2222AE(1) 2N2222AL(5) 2N2222AS(1) 2N2222AU(3) 2N2222AV(1) 2N2222AW(1) 2N2222AX(1) P2N2222A(4)
commençant par  2N2222A*(86) 2N2222A-*(1) 2N2222AB*(5) 2N2222AC*(8) 2N2222AD*(9) 2N2222AH*(1) 2N2222AQ*(2) 2N2222AS*(2) 2N2222AU*(27) 2N2222AV*(5) 2N2222AW*(5) 2N2222AX*(6)
terminant par  *2N2222A(11) *-2N2222A(1) *N2N2222A(1) *S2N2222A(2) *T2N2222A(1) *V2N2222A(1) *X2N2222A(1)
incluant  *2N2222A*(21) *2N2222AR*(1)
Fabricant


2N2222A Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "2N2222A" - Totale : 126 ( 7/7 Page)
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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Microsemi Corporation
2N2222AXC-1 MICROSEMI-2N2222AXC-1 Datasheet
44Kb/2P
   SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON
Rev. - 4/15/98
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Seme LAB
2N2222AXCSM SEME-LAB-2N2222AXCSM Datasheet
10Kb/1P
   Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications
logo
Microsemi Corporation
2N2222AXS MICROSEMI-2N2222AXS Datasheet
44Kb/2P
   SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON
Rev. - 4/15/98
2N2222AXS-1 MICROSEMI-2N2222AXS-1 Datasheet
44Kb/2P
   SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON
Rev. - 4/15/98
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Semicoa Semiconductor
2N2222A SEMICOA-2N2222A_02 Datasheet
211Kb/2P
   Silicon NPN Transistor
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Seme LAB
2N2222A SEME-LAB-2N2222A_09 Datasheet
41Kb/2P
   HIGH SPEED MEDIUM POWER, NPN SWITCHING TRANSISTOR

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Brève description de 2N2222A


Le 2N2222A est un transistor de jonction bipolaire NPN largement utilisé (BJT) qui est couramment utilisé pour l'amplification et la commutation dans les circuits électroniques. Il fait partie de la série de transistors 2n22xx, connue pour leurs applications à usage général. Voici quelques caractéristiques et spécifications clés du transistor 2N2222A:

Polarité: NPN (négatif positif-négatif).

Le 2N2222A est construit avec une couche de type N au milieu, pris en sandwich entre les couches de type P à l'extérieur.
Courant du collecteur maximum (IC): généralement environ 800 mA.

Il s'agit du courant maximal qui peut circuler du collecteur à l'émetteur lorsque le transistor est à l'état ON.
Tension maximale de base de collection (VCBO): généralement autour de 75 V.

Il s'agit de la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et les bornes de base tout en gardant le terminal de l'émetteur ouvert.
Tension collector-émetteur maximale (VCEO): généralement autour de 30V.

Il s'agit de la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et les bornes d'émetteur pendant que la base est ouverte.
Gain (HFE ou Beta): généralement environ 100 à 300.

Le gain, désigné comme HFE ou Beta, représente la capacité d'amplification du transistor. Il montre à quel point le courant de collecteur est amplifié par rapport au courant de base.
Package: Le 2N2222A est généralement disponible dans les packages TO-18 ou TO-92, qui sont petits et largement utilisés dans divers circuits électroniques.

Applications: Le transistor 2N2222A est utilisé dans une large gamme de circuits électroniques, y compris les amplificateurs, les applications de commutation, le traitement du signal, les oscillateurs, etc.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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