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Index   2N2222A(158) Résultats de recherche (s) pour.
Données
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 2N2222A(38) 2N2222AB(1) 2N2222AD(1) 2N2222AE(1) 2N2222AL(5) 2N2222AS(1) 2N2222AU(3) 2N2222AV(1) 2N2222AW(1) 2N2222AX(1) P2N2222A(4)
commençant par  2N2222A*(86) 2N2222A-*(1) 2N2222AB*(5) 2N2222AC*(8) 2N2222AD*(9) 2N2222AH*(1) 2N2222AQ*(2) 2N2222AS*(2) 2N2222AU*(27) 2N2222AV*(5) 2N2222AW*(5) 2N2222AX*(6)
terminant par  *2N2222A(11) *-2N2222A(1) *N2N2222A(1) *S2N2222A(2) *T2N2222A(1) *V2N2222A(1) *X2N2222A(1)
incluant  *2N2222A*(21) *2N2222AR*(1)
Fabricant


2N2222A Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "2N2222A" - Totale : 126 ( 2/7 Page)
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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Nanjing International G...
2N2222A DGNJDZ-2N2222A Datasheet
870Kb/5P
   TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
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Siemens Semiconductor G...
2N2222A SIEMENS-2N2222A Datasheet
116Kb/4P
   NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS
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Microsemi Corporation
2N2222A MICROSEMI-2N2222A Datasheet
144Kb/7P
   RADIATION HARDENED
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Central Semiconductor C...
2N2222A CENTRAL-2N2222A Datasheet
542Kb/2P
   SILICON NPN TRANSISTORS
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Fairchild Semiconductor
2N2222A FAIRCHILD-2N2222A Datasheet
378Kb/10P
   NPN Small Signal General Purpose Amplifiers
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Microsemi Corporation
2N2222A MICROSEMI-2N2222A Datasheet
142Kb/6P
   NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
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Nanjing International G...
2N2222A DGNJDZ-2N2222A Datasheet
142Kb/3P
   NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
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Boca Semiconductor Corp...
2N2222A BOCA-2N2222A Datasheet
53Kb/3P
   NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS
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Seme LAB
2N2222A SEME-LAB-2N2222A Datasheet
41Kb/2P
   HIGH SPEED MEDIUM POWER, NPN SWITCHING TRANSISTOR
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American Microsemicondu...
2N2222A AMMSEMI-2N2222A Datasheet
439Kb/1P
   Amplifiers & Switches
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Micro Electronics
2N2222A MICRO-ELECTRONICS-2N2222A Datasheet
301Kb/4P
   NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
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Tiger Electronic Co.,Lt...
2N2222A TGS-2N2222A Datasheet
141Kb/2P
   TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors (NPN)
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SEMTECH ELECTRONICS LTD...
2N2222A SEMTECH_ELEC-2N2222A Datasheet
241Kb/3P
   NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
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Microsemi Corporation
2N2222A MICROSEMI-2N2222A Datasheet
58Kb/2P
   NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
120101
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Central Semiconductor C...
2N2222A CENTRAL-2N2222A Datasheet
532Kb/2P
   NPN SILICON TRANSISTOR
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M/A-COM Technology Solu...
2N2222A MA-COM-2N2222A Datasheet
659Kb/6P
   Radiation Hardened NPN Silicon Switching Transistors
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Central Semiconductor C...
2N2222A CENTRAL-2N2222A Datasheet
33Kb/1P
   Small Signal Transistors
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New Jersey Semi-Conduct...
2N2222A NJSEMI-2N2222A Datasheet
227Kb/3P
   NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS
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Micro Commercial Compon...
2N2222A-BP MCC-2N2222A-BP Datasheet
243Kb/3P
   NPN Switching Transistors
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Microsemi Corporation
2N2222AB MICROSEMI-2N2222AB Datasheet
44Kb/2P
   SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON
Rev. - 4/15/98

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Brève description de 2N2222A


Le 2N2222A est un transistor de jonction bipolaire NPN largement utilisé (BJT) qui est couramment utilisé pour l'amplification et la commutation dans les circuits électroniques. Il fait partie de la série de transistors 2n22xx, connue pour leurs applications à usage général. Voici quelques caractéristiques et spécifications clés du transistor 2N2222A:

Polarité: NPN (négatif positif-négatif).

Le 2N2222A est construit avec une couche de type N au milieu, pris en sandwich entre les couches de type P à l'extérieur.
Courant du collecteur maximum (IC): généralement environ 800 mA.

Il s'agit du courant maximal qui peut circuler du collecteur à l'émetteur lorsque le transistor est à l'état ON.
Tension maximale de base de collection (VCBO): généralement autour de 75 V.

Il s'agit de la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et les bornes de base tout en gardant le terminal de l'émetteur ouvert.
Tension collector-émetteur maximale (VCEO): généralement autour de 30V.

Il s'agit de la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et les bornes d'émetteur pendant que la base est ouverte.
Gain (HFE ou Beta): généralement environ 100 à 300.

Le gain, désigné comme HFE ou Beta, représente la capacité d'amplification du transistor. Il montre à quel point le courant de collecteur est amplifié par rapport au courant de base.
Package: Le 2N2222A est généralement disponible dans les packages TO-18 ou TO-92, qui sont petits et largement utilisés dans divers circuits électroniques.

Applications: Le transistor 2N2222A est utilisé dans une large gamme de circuits électroniques, y compris les amplificateurs, les applications de commutation, le traitement du signal, les oscillateurs, etc.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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