Le MMBTA05 est un type spécifique de transistor NPN petit signal. Il est couramment utilisé pour les applications d'amplification et de commutation à usage général. Voici quelques spécifications clés du transistor MMBTA05:
Courant du collecteur (IC): le courant de collecteur maximum est généralement d'environ 100 milliampères (MA). Cette valeur indique le courant maximal qui peut circuler à travers la borne collecteur du transistor lorsqu'il est complètement activé.
Tension collector-émetteur (VCEO): la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et la borne d'émetteur lorsque la borne de base est en circuit ouvert. Il est généralement d'environ 30 volts.
Dissipation de puissance (PD): la puissance maximale que le transistor peut gérer sans dépasser ses limites de température spécifiées. Pour le MMBTA05, il est généralement d'environ 350 milliwatts (MW).
Gain de courant CC (HFE): le gain de courant CC, ou HFE, représente la capacité d'amplification du transistor. Pour le MMBTA05, il varie généralement de 100 à 300, selon les conditions spécifiques et le biais.
Fréquence de transition (FT): La fréquence de transition indique la fréquence maximale à laquelle le transistor peut amplifier efficacement les signaux. Pour le MMBTA05, il varie généralement de 100 à 250 mégahertz (MHz).
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