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incluant  *2N2222A*(22) *2N2222AR*(1)
Fabricant


2N2222A Fiches technique, PDF - Comset Semiconductor

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "2N2222A" - Select : 3 , Totale : 126 ( 1/1 Page)
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
logo
Comset Semiconductor
2N2222A COMSET-2N2222A Datasheet
187Kb/3P
   SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
2N2222A COMSET-2N2222A Datasheet
84Kb/4P
   SWITCHING SILICON TRANSISTORS
2N2222A COMSET-2N2222A Datasheet
157Kb/3P
   SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

1


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2N2222A Fiches technique, PDF [revendeur]

revendeurNo de pièce Fabricant
Fiches technique
DescriptionBuy Now
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Element14
2N2222A

part
MULTICOMP PRO

TRANSISTOR, NPN, 40V, 800MA, TO-18; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V;...
2N2222A

part
NTE ELECTRONICS

BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-18; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-18; Transistor Polarity:N...

2N2222A revendeur

revendeurNo de pièceFabricantDescriptionPriceQty.
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Brève description de 2N2222A


Le 2N2222A est un transistor de jonction bipolaire NPN largement utilisé (BJT) qui est couramment utilisé pour l'amplification et la commutation dans les circuits électroniques. Il fait partie de la série de transistors 2n22xx, connue pour leurs applications à usage général. Voici quelques caractéristiques et spécifications clés du transistor 2N2222A:

Polarité: NPN (négatif positif-négatif).

Le 2N2222A est construit avec une couche de type N au milieu, pris en sandwich entre les couches de type P à l'extérieur.
Courant du collecteur maximum (IC): généralement environ 800 mA.

Il s'agit du courant maximal qui peut circuler du collecteur à l'émetteur lorsque le transistor est à l'état ON.
Tension maximale de base de collection (VCBO): généralement autour de 75 V.

Il s'agit de la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et les bornes de base tout en gardant le terminal de l'émetteur ouvert.
Tension collector-émetteur maximale (VCEO): généralement autour de 30V.

Il s'agit de la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et les bornes d'émetteur pendant que la base est ouverte.
Gain (HFE ou Beta): généralement environ 100 à 300.

Le gain, désigné comme HFE ou Beta, représente la capacité d'amplification du transistor. Il montre à quel point le courant de collecteur est amplifié par rapport au courant de base.
Package: Le 2N2222A est généralement disponible dans les packages TO-18 ou TO-92, qui sont petits et largement utilisés dans divers circuits électroniques.

Applications: Le transistor 2N2222A est utilisé dans une large gamme de circuits électroniques, y compris les amplificateurs, les applications de commutation, le traitement du signal, les oscillateurs, etc.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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