IRFZ44N Fiches technique, PDF - Alldatasheet

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Fabricant

IRFZ44N Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "IRFZ44N" - Totale : 34 ( 1/2 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NXP Semiconductors	IRFZ44N	64Kb/8P	N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor February 1999 Rev 1.000
Guangdong Youtai Semico...	IRFZ44N	867Kb/8P	60V N-Channel MOSFET
International Rectifier	IRFZ44N	100Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A)
TRANSYS Electronics Lim...	IRFZ44N	141Kb/1P	Power MOSFET
Suntac Electronic Corp.	IRFZ44N	150Kb/5P	N-CHANNEL Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRFZ44N	121Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Tiger Electronic Co.,Lt...	IRFZ44N	132Kb/1P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRFZ44N	76Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
Kersemi Electronic Co.,...	IRFZ44N	700Kb/8P	Advanced Process Technology
First Components Intern...	IRFZ44N	154Kb/5P	55A 50V N CHANNEL POWER MOSFET
Thinki Semiconductor Co...	IRFZ44N	1Mb/6P	50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRFZ44N	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
International Rectifier	IRFZ44NL	151Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)
	IRFZ44NLPBF	339Kb/11P	HEXFET짰Power MOSFET
	IRFZ44NLPBF	340Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRFZ44NPBF	150Kb/8P	HEXFET-R Power MOSFET
	IRFZ44NPBF	231Kb/8P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
VBsemi Electronics Co.,...	IRFZ44NPBF	1,014Kb/7P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
International Rectifier	IRFZ44NPBF	231Kb/8P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
Inchange Semiconductor ...	IRFZ44NS	243Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

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IRFZ44N revendeur

revendeur	No de pièce	Fabricant	Description	Price	Qty. BuyNow

Brève description de IRFZ44N

L'IRFZ44N est un MOSFET de puissance à n canaux N (transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) utilisé dans les circuits électroniques, en particulier pour les applications de haute puissance et de commutation. Voici quelques caractéristiques et spécifications clés du transistor IRFZ44N:

Type: MOSFET à canal N.

Il a un canal N, ce qui signifie qu'il utilise des électrons comme porteurs de charge pour la conduction.
Tension maximale de drain-source (VDSS): généralement autour de 55 V.

Il s'agit de la tension maximale qui peut être appliquée entre le drain et les bornes source.
Courant de vidange continu maximum (ID): généralement autour de 41A.

Il s'agit du courant maximal qui peut circuler du drain vers la source en continu sans endommager le MOSFET.
Courant de drain pulsé maximal (IDM): généralement vers 164a.

Il s'agit du courant maximum que le MOSFET peut gérer pour les impulsions courtes ou les conditions transitoires.
Résistance sur le plan (RDS (ON)): généralement très faible, mesurée en milliohms (MΩ).

La résistance sur la résistance représente la résistance entre le drain et les bornes source lorsque le MOSFET est complètement activé. Les valeurs RDS (ON) inférieures indiquent moins de résistance à la conduction.
Vension de seuil de porte (VGS (TH)): généralement autour de 2-4V.

Il s'agit de la tension requise pour allumer le MOSFET. C'est la tension de porte à laquelle le MOSFET commence à mener.
Package: L'IRFZ44N est généralement disponible dans les packages de 220, qui sont largement utilisés pour les transistors de puissance.

Applications: Le MOSFET IRFZ44N est couramment utilisé dans les applications de commutation de haute puissance, telles que la commande du moteur, les alimentations, les pilotes LED et diverses autres applications où des capacités élevées de courant et de tension sont nécessaires.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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