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Index   2N2222A(158) Résultats de recherche (s) pour.
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 2N2222A(38) 2N2222AB(1) 2N2222AD(1) 2N2222AE(1) 2N2222AL(5) 2N2222AS(1) 2N2222AU(3) 2N2222AV(1) 2N2222AW(1) 2N2222AX(1) P2N2222A(4)
commençant par  2N2222A*(86) 2N2222A-*(1) 2N2222AB*(5) 2N2222AC*(8) 2N2222AD*(9) 2N2222AH*(1) 2N2222AQ*(2) 2N2222AS*(2) 2N2222AU*(27) 2N2222AV*(5) 2N2222AW*(5) 2N2222AX*(6)
terminant par  *2N2222A(11) *-2N2222A(1) *N2N2222A(1) *S2N2222A(2) *T2N2222A(1) *V2N2222A(1) *X2N2222A(1)
incluant  *2N2222A*(21) *2N2222AR*(1)
Fabricant


2N2222A Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Start with "2N2222A" - Totale : 88 ( 1/5 Page)
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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Micro Commercial Compon...
2N2222A-BP MCC-2N2222A-BP Datasheet
243Kb/3P
   NPN Switching Transistors
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Microsemi Corporation
2N2222AB MICROSEMI-2N2222AB Datasheet
44Kb/2P
   SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON
Rev. - 4/15/98
2N2222AB-1 MICROSEMI-2N2222AB-1 Datasheet
44Kb/2P
   SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON
Rev. - 4/15/98
2N2222ABC MICROSEMI-2N2222ABC Datasheet
44Kb/2P
   SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON
Rev. - 4/15/98
2N2222ABC-1 MICROSEMI-2N2222ABC-1 Datasheet
44Kb/2P
   SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON
Rev. - 4/15/98
2N2222ABS MICROSEMI-2N2222ABS Datasheet
44Kb/2P
   SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON
Rev. - 4/15/98
2N2222ABS-1 MICROSEMI-2N2222ABS-1 Datasheet
44Kb/2P
   SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON
Rev. - 4/15/98
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Seme LAB
2N2222AC1 SEME-LAB-2N2222AC1 Datasheet
568Kb/4P
   SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR
2N2222AC3A SEME-LAB-2N2222AC3A Datasheet
92Kb/3P
   SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR
2N2222AC3B SEME-LAB-2N2222AC3B Datasheet
92Kb/3P
   SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR
2N2222AC3C SEME-LAB-2N2222AC3C Datasheet
92Kb/3P
   SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR
2N2222ACSM SEME-LAB-2N2222ACSM Datasheet
17Kb/2P
   HIGH SPEED, MEDIUM POWER, NPN SWITCHING TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
2N2222ACSM SEME-LAB-2N2222ACSM Datasheet
278Kb/3P
   SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR
2N2222ACSM4 SEME-LAB-2N2222ACSM4 Datasheet
15Kb/2P
   HIGH SPEED, MEDIUM POWER, NPN SWITCHING TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
2N2222ACSM SEME-LAB-2N2222ACSM_10 Datasheet
278Kb/3P
   SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR
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2N2222AD MICROSEMI-2N2222AD Datasheet
44Kb/2P
   SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON
Rev. - 4/15/98
2N2222AD-1 MICROSEMI-2N2222AD-1 Datasheet
44Kb/2P
   SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON
Rev. - 4/15/98
2N2222ADC MICROSEMI-2N2222ADC Datasheet
44Kb/2P
   SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON
Rev. - 4/15/98
2N2222ADC-1 MICROSEMI-2N2222ADC-1 Datasheet
44Kb/2P
   SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON
Rev. - 4/15/98
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Seme LAB
2N2222ADCSM SEME-LAB-2N2222ADCSM Datasheet
18Kb/2P
   DUAL HIGH SPEED, MEDIUM POWER NPN SWITCHING TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS

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2N2222A revendeur

revendeurNo de pièceFabricantDescriptionPriceQty.
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Brève description de 2N2222A


Le 2N2222A est un transistor de jonction bipolaire NPN largement utilisé (BJT) qui est couramment utilisé pour l'amplification et la commutation dans les circuits électroniques. Il fait partie de la série de transistors 2n22xx, connue pour leurs applications à usage général. Voici quelques caractéristiques et spécifications clés du transistor 2N2222A:

Polarité: NPN (négatif positif-négatif).

Le 2N2222A est construit avec une couche de type N au milieu, pris en sandwich entre les couches de type P à l'extérieur.
Courant du collecteur maximum (IC): généralement environ 800 mA.

Il s'agit du courant maximal qui peut circuler du collecteur à l'émetteur lorsque le transistor est à l'état ON.
Tension maximale de base de collection (VCBO): généralement autour de 75 V.

Il s'agit de la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et les bornes de base tout en gardant le terminal de l'émetteur ouvert.
Tension collector-émetteur maximale (VCEO): généralement autour de 30V.

Il s'agit de la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et les bornes d'émetteur pendant que la base est ouverte.
Gain (HFE ou Beta): généralement environ 100 à 300.

Le gain, désigné comme HFE ou Beta, représente la capacité d'amplification du transistor. Il montre à quel point le courant de collecteur est amplifié par rapport au courant de base.
Package: Le 2N2222A est généralement disponible dans les packages TO-18 ou TO-92, qui sont petits et largement utilisés dans divers circuits électroniques.

Applications: Le transistor 2N2222A est utilisé dans une large gamme de circuits électroniques, y compris les amplificateurs, les applications de commutation, le traitement du signal, les oscillateurs, etc.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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