2N2222A Fiches technique, PDF - Alldatasheet

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Index	2N2222A(158) Résultats de recherche (s) pour.
Données correspondantes, Données similaires	2N2222A(38) 2N2222AB(1) 2N2222AD(1) 2N2222AE(1) 2N2222AL(5) 2N2222AS(1) 2N2222AU(3) 2N2222AV(1) 2N2222AW(1) 2N2222AX(1) P2N2222A(4)
commençant par	2N2222A(86) 2N2222A-(1) 2N2222AB(5) 2N2222AC(8) 2N2222AD(9) 2N2222AH(1) 2N2222AQ(2) 2N2222AS(2) 2N2222AU(27) 2N2222AV(5) 2N2222AW(5) 2N2222AX(6)
terminant par	2N2222A(11) -2N2222A(1) N2N2222A(1) S2N2222A(2) T2N2222A(1) V2N2222A(1) *X2N2222A(1)
incluant	2N2222A(21) 2N2222AR(1)

Fabricant

2N2222A Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Included a word "2N2222A" - Totale : 21 ( 1/2 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Central Semiconductor C...	CP191-2N2222A-CT	465Kb/9P	P-Channel JFET Die R1 17-January 2018
	CP191-2N2222A-CT	530Kb/9P	PNP - High Voltage Transistor Die R0 8-August 2019
	CP191-2N2222A-WN	465Kb/9P	P-Channel JFET Die R1 17-January 2018
	CP191-2N2222A-WN	530Kb/9P	PNP - High Voltage Transistor Die R0 8-August 2019
	CP191-2N2222A-WR	465Kb/9P	P-Channel JFET Die R1 17-January 2018
	CP191-2N2222A-WR	530Kb/9P	PNP - High Voltage Transistor Die R0 8-August 2019
	CP191-2N2222A-WS	465Kb/9P	P-Channel JFET Die R1 17-January 2018
	CP191-2N2222A-WS	530Kb/9P	PNP - High Voltage Transistor Die R0 8-August 2019
	CP191V-2N2222A-CT	465Kb/9P	P-Channel JFET Die R1 17-January 2018
	CP191V-2N2222A-CT	530Kb/9P	PNP - High Voltage Transistor Die R0 8-August 2019
	CP191V-2N2222A-WN	465Kb/9P	P-Channel JFET Die R1 17-January 2018
	CP191V-2N2222A-WN	530Kb/9P	PNP - High Voltage Transistor Die R0 8-August 2019
	CP191V-2N2222A-WR	530Kb/9P	PNP - High Voltage Transistor Die R0 8-August 2019
	CP191V-2N2222A-WR	465Kb/9P	P-Channel JFET Die R1 17-January 2018
Microsemi Corporation	JANS2N2222AUB	142Kb/6P	ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25째C, unless otherwise noted)
	JANTX2N2222AUB	58Kb/2P	NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 120101
	JANTX2N2222AUB	142Kb/6P	TECHNICAL DATA SHEET NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
ON Semiconductor	P2N2222AG	165Kb/6P	Amplifier Transistors(NPN Silicon) April, 2007 -- Rev. 5
ON Semiconductor	P2N2222ARL1G	165Kb/6P	Amplifier Transistors(NPN Silicon) April, 2007 -- Rev. 5
Seme LAB	SF_2N2222AXCSM	10Kb/1P	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications

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2N2222A revendeur

revendeur	No de pièce	Fabricant	Description	Price	Qty. BuyNow

Brève description de 2N2222A

Le 2N2222A est un transistor de jonction bipolaire NPN largement utilisé (BJT) qui est couramment utilisé pour l'amplification et la commutation dans les circuits électroniques. Il fait partie de la série de transistors 2n22xx, connue pour leurs applications à usage général. Voici quelques caractéristiques et spécifications clés du transistor 2N2222A:

Polarité: NPN (négatif positif-négatif).

Le 2N2222A est construit avec une couche de type N au milieu, pris en sandwich entre les couches de type P à l'extérieur.
Courant du collecteur maximum (IC): généralement environ 800 mA.

Il s'agit du courant maximal qui peut circuler du collecteur à l'émetteur lorsque le transistor est à l'état ON.
Tension maximale de base de collection (VCBO): généralement autour de 75 V.

Il s'agit de la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et les bornes de base tout en gardant le terminal de l'émetteur ouvert.
Tension collector-émetteur maximale (VCEO): généralement autour de 30V.

Il s'agit de la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et les bornes d'émetteur pendant que la base est ouverte.
Gain (HFE ou Beta): généralement environ 100 à 300.

Le gain, désigné comme HFE ou Beta, représente la capacité d'amplification du transistor. Il montre à quel point le courant de collecteur est amplifié par rapport au courant de base.
Package: Le 2N2222A est généralement disponible dans les packages TO-18 ou TO-92, qui sont petits et largement utilisés dans divers circuits électroniques.

Applications: Le transistor 2N2222A est utilisé dans une large gamme de circuits électroniques, y compris les amplificateurs, les applications de commutation, le traitement du signal, les oscillateurs, etc.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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