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FX513 Fiches technique(PDF) 1 Page - Sanyo Semicon Device |
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1 / 4 page  FX513 No.7335-1/4 No. 新 FX513 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 用途 ・リレードライブ , ランプドライブ , モータドライブ。 特長 ・PNP トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・FX513 は、2SA2013 相当のチップを同一ケース内に収容したものである。 ・内蔵素子のペア性に優れている。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ unit コレクタ・ベース電圧 VCBO −50 V コレクタ・エミッタ電圧 VCES −50 V コレクタ・エミッタ電圧 VCEO −50 V エミッタ・ベース電圧 VEBO −6 V コレクタ電流 IC −4 A コレクタ電流（パルス） ICP −7 A ベース電流 IB − 600 mA コレクタ損失 PC セラミック基板(750mm2 × 0.8mm)装着時 1unit 1.5 W 全損失 PT セラミック基板(750mm2 × 0.8mm)装着時 1.8 W 接合部温度 Tj 150 ℃ 保存周囲温度 Tstg − 55 ∼＋ 150 ℃ 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ min typ max unit コレクタしゃ断電流 ICBO VCB= − 40V, IE=0 − 1 µA エミッタしゃ断電流 IEBO VEB= − 4V, IC=0 − 1 µA 直流電流増幅率 hFE VCE= − 2V, IC= − 500mA 200 560 直流電流増幅率比 hFE(小/大) VCE= − 2V, IC= − 500mA 0.8 利得帯域幅積 fT VCE= − 10V, IC= − 500mA 360 MHz 出力容量 Cob VCB= − 10V, f=1MHz 24 pF 次ページへ続く。 単体品名表示：513 N7335 注文コード No. N 7335 PNP エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ DC / DC コンバータ用 O1002 1 : Base 1 2 : Emitter 1 3 : Emitter 2 4 : Base 2 5 : Collector 2 6 : Collector 1 SANYO : XP6 外形図 2118 (unit : mm) 0.4 0.8 2.4 2.4 0.8 5.0 1.5 0.5 1.5 56 4 32 1 0.4 1.8 6.2 1.2D 0.15max (Bottom view) 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を 要する用途（生命維持装置、航空機のコント ロールシステム等、多大な人的・物的損害 を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に はなっておりません。そのような場合には、 あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下 さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲 等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果 発生した機器の欠陥について、弊社は責任 を負いません。 O1002 TS IM ◎佐藤 TA-100064 |
Numéro de pièce similaire - FX513 |
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Description similaire - FX513 |
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