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IXGH32N90B2 Fiches technique(PDF) 4 Page - IXYS Corporation |
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IXGH32N90B2 Fiches technique(HTML) 4 Page - IXYS Corporation |
4 / 7 page ![]() IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions. IXGH 32N90B2 IXGT 32N90B2 Fig. 7. Transconductance 0 5 10 15 20 25 30 35 0 20 40 60 80 100 I C - Amperes TJ = -40ºC 25 ºC 125 ºC Fig. 8. Gate Charge 0 2 4 6 8 10 12 14 16 0 10 20 304050 607080 90 100 Q G - nanoCoulombs VCE = 450V I C = 32A I G = 10mA Fig. 9. Capacitance 10 100 1000 10000 0 5 10 15 20 25 30 35 40 VC E - Volts Cies Coes Cres f = 1 MHz Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area 0 10 20 30 40 50 60 70 100 200 300 400 500 600 700 800 900 VC E - Volts TJ = 125ºC RG =10Ω dV/dT < 10V/ns Fig. 11. Maxim um Transient Therm al Resistance 0.01 0.1 1 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width - milliseconds |
Numéro de pièce similaire - IXGH32N90B2 |
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Description similaire - IXGH32N90B2 |
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