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JCS7N65F-O-F-N-B Fiches technique(PDF) 5 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
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JCS7N65F-O-F-N-B Fiches technique(HTML) 5 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
5 / 8 page ![]() R JCS7N65F 版本:201004A 5/8 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) 110 1 10 V GS Top 15V 10V 8V 7V 6.5V 6V 5.5V Bottom 5V Notes: 1. 250μs pulse test 2. T C=25℃ V DS [V] 246 8 10 0.1 1 10 Notes: 1.250μs pulse test 2.V DS=40V 25℃ V GS [V] 150℃ 02468 10 0.95 1.00 1.05 1.10 1.15 1.20 1.25 1.30 1.35 1.40 Note :T j=25℃ V GS=10V V GS=20V I D [A] 0 2 4 6 8 10 12 0 10 203040 5060 V DS=480V V DS=300V V DS=120V Q g Toltal Gate Charge [nC] On-Region Characteristics Transfer Characteristics On-Resistance Variation vs. Drain Current and Gate Voltage Body Diode Forward Voltage Variation vs. Source Current and Temperature Capacitance Characteristics Gate Charge Characteristics 0.1 1 10 0.40.5 0.60.7 0.80.9 1.01.1 1.21.3 1.41.5 Notes: 1. 250μs pulse test 2. V GS=0V 25℃ 150℃ V SD [V] |
Numéro de pièce similaire - JCS7N65F-O-F-N-B |
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Description similaire - JCS7N65F-O-F-N-B |
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