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JCS7N65F-O-F-N-B Fiches technique(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
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JCS7N65F-O-F-N-B Fiches technique(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
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4 / 8 page  R JCS7N65F 版本：201004A 4/8 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性 Switching Characteristics 延迟时间 Turn-On delay time td(on) - 30 70 ns 上升时间 Turn-On rise time tr - 80 170 ns 延迟时间 Turn-Off delay time td(off) - 125 260 ns 下降时间 Turn-Off Fall time tf VDD=300V,ID=7A,RG=25Ω （ note 4，5） - 85 180 ns 栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg - 54 65 nC 栅－源电荷 Gate-Source charge Qgs - 6.8 - nC 栅－漏电荷 Gate-Drain charge Qgd VDS =480V , ID=7A VGS =10V （ note 4，5） - 23 - nC 漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain -Source Diode Forward Current IS - - 7.0 A 正向最大脉冲电流 Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ISM - - 28 A 正向压降 Drain-Source Diode Forward Voltage VSD VGS=0V, IS=7.0A - - 1.4 V 反向恢复时间 Reverse recovery time trr - 415 - ns 反向恢复电荷 Reverse recovery charge Qrr VGS=0V, IS=7.0A dIF/dt=100A/μs (note 4) - 4.6 - μC 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 最大 Max 项 目 Parameter 符 号 Symbol JCS7N65F 单 位 Unit 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case Rth(j-c) 2.6 ℃ /W 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j-A) 62.5 ℃ /W 注释： 1：脉冲宽度由最高结温限制 2：L=15.7mH, IAS=7.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始 结温 TJ=25℃ 3：ISD ≤7.0A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃ 4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％ 5：基本与工作温度无关 Notes: 1 ： Pulse width limited by maximum junction temperature 2：L=15.7mH, IAS=7.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃ 3 ： ISD ≤7.0A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％ 5：Essentially independent of operating temperature |
Numéro de pièce similaire - JCS7N65F-O-F-N-B |
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Description similaire - JCS7N65F-O-F-N-B |
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