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GFB70N03 Fiches technique(PDF) 4 Page - General Semiconductor |
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GFB70N03 Fiches technique(HTML) 4 Page - General Semiconductor |
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4 / 5 page  0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 0 5 10 15 30 20 25 Fig. 8 – Capacitance Ciss Crss Coss f = 1MHZ VGS = 0V 0 2 4 6 8 10 010 20 40 30 Fig. 7 – Gate Charge 50 60 70 VDS = 15V ID = 35A 0.01 0.1 1 10 100 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 TJ = 125 °C Fig. 9 – Source-Drain Diode Forward Voltage 25 °C --55 °C VGS = 0V VSD -- Source-to-Drain Voltage (V) Qg -- Gate Charge (nC) VDS -- Drain-to-Source Voltage (V) 0 0.005 0.01 0.02 0.015 0.025 0.03 2 468 10 Fig. 6 – On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage ID = 35A TJ = 125 °C 25 °C VGS -- Gate-to-Source Voltage (V) Ratings and Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted) GFB70N03 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
Numéro de pièce similaire - GFB70N03 |
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Description similaire - GFB70N03 |
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