![]() |
Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques |
|
IPP60R520E6 Fiches technique(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
IPP60R520E6 Fiches technique(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel MOSFET Transistor IPP60R520E6,IIPP60R520E6 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V; ID =0.25mA 600 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS; ID =0.23mA 2.5 3.5 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS=10V; ID=2.8A 0.52 Ω IGSS Gate-Source Leakage Current VGS=20V; VDS=0V 0.1 μ A IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=600V; VGS= 0V 1 μ A VSD Diode forward voltage IF=3.5A; VGS = 0V 0.9 V |
Numéro de pièce similaire - IPP60R520E6 |
|
Description similaire - IPP60R520E6 |
|
|
Lien URL |
Politique de confidentialité |
ALLDATASHEET.FR |
ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ] |
À propos de Alldatasheet | Publicité | Contactez-nous | Politique de confidentialité | Echange de liens | Fabricants All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |