2SD999 Fiches technique(PDF) - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

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2SD999 Fiches technique (PDF) - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

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NPN Silicon Epitaxial Transistor

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2SD999 Détails du produit

FEATURES
● Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)<0.4V( IC=1.0A,IB =100mA)
● Excellent DC Current Gain Linearity: hFE=140Typ.( VCE=1.0V, IC=1.0A)
● Complements to PNP type 2SB798

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