BSP452-E6327 Fiches technique(PDF)

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BSP452-E6327 Fiches technique (PDF) - Infineon Technologies AG

BSP452-E6327 Datasheet PDF - Infineon Technologies AG


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miniPROFET BSP 452

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BSP452-E6327 Détails du produit

General Description
N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input, monolithically integrated in Smart SIPMOS® technology. Fully protected by embedded protection functions.

• High-side switch
• Short-circuit protection
• Input protection
• Overtemperature protection with hysteresis
• Overload protection
• Overvoltage protection
• Switching inductive load
• Clamp of negative output voltage with inductive loads
• Undervoltage shutdown
• Maximum current internally limited
• Electrostatic discharge (ESD) protection
• Reverse battery protection1)

Application
• µC compatible power switch for 12 V DC grounded loads
• All types of resistive, inductive and capacitive loads
• Replaces electromechanical relays and discrete circuits

Numéro de pièce similaire - BSP452-E6327

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	BSP452	189Kb / 10P	Smart High-Side Power Switch V1.0, 2007-05-25

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La société a été fondée en 1999 et a son siège à Neubiberg, en Allemagne.
Infineon propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des semi-conducteurs de puissance, des capteurs et d'autres circuits intégrés.
La société a une forte présence sur le marché mondial, avec des opérations et des installations dans divers pays du monde.

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