IRFW614B Fiches technique(PDF)

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IRFW614B Fiches technique (PDF) - Fairchild Semiconductor

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250V N-Channel MOSFET

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IRFW614B Détails du produit

General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies.

Features
• 2.8A, 250V, RDS(on) = 2.0Ω @VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 8.1 nC)
• Low Crss ( typical 7.5 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability

Numéro de pièce similaire - IRFW614B

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Fairchild Semiconductor	IRFW610B	660Kb / 9P	200V N-Channel MOSFET

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À propos de Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor était une entreprise de semi-conducteurs pionniers qui a été fondée à la fin des années 1950.
L'entreprise était connue pour son innovation dans le développement du premier transistor commercial et pour ses contributions à l'avancement de la technologie de circuit intégré.
Fairchild est devenu l'un des principaux fournisseurs de semi-conducteurs de puissance, de circuits intégrés de signal analogique et mixte et d'autres produits semi-conducteurs.
La société a été acquise par ON Semiconductor en 2016 et ses produits et technologies continuent d'être développés et vendus sous la marque ON Semiconductor.

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